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定义及分类

铌酸锂是一种无机物，化学式为LiNbO3，是一种负极晶体、铁电晶体，极化处理后的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、非线性光学、热电等性能的材料，同时具有光折变效应。铌酸锂晶体是应用最广泛的新型无机材料之一，它是一种良好的压电能量交换材料、铁电材料、电光材料，铌酸锂作为电光材料在光通信中起到光调制的作用。

图表：铌酸锂晶体分类

资料来源：智研瞻产业研究院整理

发展历程

目前，我国在铌酸锂方面已取得了较大进展。第一个时期为1928年至1965年，这一时期以外国在新的物质和构造方面的探索为主。第二个发展时期为1964~1967年，在这一时期，国际上成功地实现了对铌酸锂晶体的制备和处理，并取得了一定的进展。第三个时期是从70年代至今，在国内开展了铌酸锂的研发与制造工作。

第一阶段(1928-1965):1928年矿物学家Zachariasian首次对银酸锂的结构特征进行了初步研究;1949年，美国Be11实验室的Matthias和Remeika发现了琼脂酸锂的高温铁电特性。1965年，Nassau和Levinstein在Be11实验室找到了制备单畴锂锐酸的方法;1965年，Abrahams等人建立了一种新的铜锂在铁电相和准医学相下的晶格结构模型，该模型至今仍在使用。

第二阶段(1964-1967):国外对锂键酸的特性进行了广泛的研究。由于材料生长过程的突破，获得了最优晶格模型。1964年至1967年，美国Be11实验室对银酸锂的电光、倍频、压电、光折变等特性进行了一系列研究。

第三阶段(1970年至今):20世纪70年代开始研究银酸锂晶体的生长、缺陷、性质和应用。1980年，南开大学和西南技术物理研究所发现了高掺杂酸镁锂的高抗光损伤性，被称为“中国之星”。同年，南京大学突破了周期极化碳酸锂的生长过程，实验实现了准相匹配。

图表：铌酸锂材料发展历程

资料来源：智研瞻产业研究院整理

政策环境

铌酸锂晶体广泛应用于SAW滤波器、光调制器、相位调制器、光隔离器、电光Q开关等光电效应多、性能调节性强、物理化学性质稳定、透光范围广等器件中。政府出台了一系列相关电子元器件支持和规范文件，铌酸锂需求稳定，行业发展有了坚实的基础。

图表：中国铌酸锂行业相关政策梳理

资料来源：智研瞻产业研究院整理

产业链分析

铌酸锂产业链上游材料主要有铌酸锂晶体和薄膜，上游设备主要有电子束直写、DUV光刻机等。产业链中游主要是铌酸锂调制器芯片和器件，包括块状材料铌酸锂调制器和薄膜铌酸锂调制器;下游产业链主要应用于光通信、光纤陀螺、超快激光、有线电视(CATV)等多个领域。

图表：铌酸锂行业产业链分析

资料来源：智研瞻产业研究院整理

行业市场规模

统计数据显示，2018年中国铌酸锂单晶产业市场规模为1.75亿元，2022年为3.26亿元。2018 - 2023年中国铌酸锂单晶行业市场规模如下:

图表：2018-2023年中国铌酸锂单晶行业市场规模

数据来源：智研瞻产业研究院整理

市场竞争格局

国际大型工厂在控制过滤器的制造过程和知识产权方面也处于领先地位。以LT和LN晶体的发明专利为例，在全球专利总量排名前15位的公司中，日本公司有9家，中国公司只有1家。因此，国内企业应加大对创新研发的投入，合理配置专利，建立完整、系统的知识产权战略体系。

图表：铌酸锂单晶行业主要企业

资料来源：智研瞻产业研究院整理

行业发展趋势

目前，铌酸锂晶体广泛应用于表面声波、电光调制、激光调q、光学陀螺、光学参量振荡、光学参量放大、光学全息存储等器件中，在手机、电视、光通信、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要作用。

这种被称为“光学硅”的铌酸锂材料，利用最新的微纳米技术，将硅衬底上的二氧化硅(SiO2)层蒸汽化，并在高温下与铌酸锂衬底结合，形成解理面，最终剥离铌酸锂薄膜。所制备的薄膜铌酸锂调制器具有高性能、低成本、体积小、可批量生产、兼容CMOS技术等优点。它是未来高速光互连的一个有竞争力的解决方案。传统铌酸锂调制器行业竞争格局稳定，全球仅有富士通、住友和光库科技三家供应商能够批量供货，我国电信级铌酸锂系列高速调制器器件基本依赖进口。受益于国内薄膜铌酸锂产业链的逐步成熟，随着鑫易升等下游厂商展示或推出薄膜铌酸锂光模块，国内厂商有望在薄膜铌酸锂调制器领域占得先机。

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