绝缘栅双极晶体管（IGBT）定义

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种三端半导体功率器件，它结合了功率MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单和功率双极晶体管的电流大、导通压降低等两方面的优点，因此成为现代电力电子技术中主流的半导体开关器件。

第一章　绝缘栅双极型晶体管（IGBT）行业相关概述

1.1　功率半导体相关介绍

1.1.1　基本定义

1.1.2　主要分类

1.1.3　产业链条

1.1.4　应用范围

1.2　IGBT相关介绍

1.2.1　基本定义

1.2.2　工作特征

1.2.3　基本分类

1.2.4　产品类别

第二章　近几年功率半导体产业发展状况分析

2.1　近几年全球功率半导体发展分析

2.1.1　行业发展历程

2.1.2　标准体系建设

2.1.3　市场发展规模

2.1.4　细分市场占比

2.1.5　企业竞争格局

2.1.6　应用领域状况

2.1.7　市场发展展望

2.2　近几年中国功率半导体发展分析

2.2.1　行业发展历程

2.2.2　行业政策环境

2.2.3　市场发展规模

2.2.4　贸易规模分析

2.2.5　市场构成分析

2.2.6　产业园区分布

2.2.7　企业规模分析

2.2.8　行业投融资分析

2.3　近几年中国功率半导体竞争分析

2.3.1　行业竞争梯队

2.3.2　市场份额占比

2.3.3　市场集中程度

2.3.4　企业区域分布

2.3.5　企业竞争力评价

2.3.6　竞争状态总结

2.4　中国功率半导体行业项目投资案例分析

2.4.1　项目基本概况

2.4.2　项目的必要性

2.4.3　项目的可行性

2.4.4　项目投资概算

2.4.5　项目进度安排

2.4.6　项目环保情况

2.5　中国功率半导体产业发展困境及前景分析

2.5.1　行业发展困境

2.5.2　行业发展建议

2.5.3　行业发展机遇

2.5.4　市场发展展望

第三章　近几年IGBT行业发展环境分析

3.1　政策环境

3.1.1　IGBT行业监管主体部门

3.1.2　IGBT行业相关政策汇总

3.1.3　IGBT芯片国家层面政策

3.1.4　IGBT芯片地方层面政策

3.1.5　新能源汽车相关政策推动

3.2　经济环境

3.2.1　世界经济形势分析

3.2.2　国内宏观经济概况

3.2.3　工业经济运行情况

3.2.4　固定资产投资情况

3.2.5　未来经济发展走势

3.3　社会环境

3.3.1　居民收入水平

3.3.2　居民消费水平

3.3.3　社会消费规模

3.3.4　研发投入情况

3.3.5　科技人才发展

第四章　近几年IGBT行业发展状况分析

4.1　近几年全球IGBT行业发展分析

4.1.1　行业发展历程

4.1.2　市场发展规模

4.1.3　企业竞争格局

4.1.4　下游应用占比

4.2　近几年中国IGBT行业发展分析

4.2.1　市场发展规模

4.2.2　产量规模分析

4.2.3　需求驱动分析

4.2.4　国产化率变化

4.2.5　典型企业布局

4.2.6　应用领域分布

4.2.7　专利申请分析

4.3　近几年中国IGBT控制器发展分析

4.3.1　IGBT驱动器基本定义

4.3.2　IGBT驱动器主要分类

4.3.3　IGBT驱动器发展历程

4.3.4　IGBT驱动器市场规模

4.3.5　IGBT驱动器供需分析

4.3.6　IGBT驱动器企业布局

4.3.7　IGBT驱动器发展趋势

4.4　IGBT商业模式发展分析

4.4.1　无工厂芯片供应商（Fabless）模式

4.4.2　代工厂（Foundry）模式

4.4.3　集成器件制造（IDM）模式

4.5　IGBT产业链发展分析

4.5.1　产业链条结构

4.5.2　产业核心环节

4.5.3　上游领域分析

4.5.4　下游领域分析

第五章　近几年IGBT芯片发展状况分析

5.1　IGBT芯片定义与发展

5.1.1　IGBT芯片基本定义

5.1.2　IGBT芯片产业链构成

5.1.3　IGBT芯片应用领域

5.1.4　IGBT芯片技术发展

5.2　近几年全球IGBT芯片发展分析

5.2.1　全球IGBT芯片发展历程

5.2.2　全球IGBT芯片市场格局

5.2.3　全球IGBT芯片区域格局

5.2.4　全球IGBT芯片重点企业

5.3　近几年中国IGBT芯片发展分析

5.3.1　中国IGBT芯片供给分析

5.3.2　中国IGBT芯片需求分析

5.3.3　中国IGBT芯片成本构成

5.3.4　中国IGBT芯片价格分析

5.3.5　中国IGBT芯片企业布局

5.3.6　中国IGBT芯片技术发展

5.4　近几年中国IGBT芯片竞争情况分析

5.4.1　行业竞争梯队

5.4.2　行业市场份额

5.4.3　市场集中程度

5.4.4　企业区域分布

5.4.5　企业竞争力评价

5.4.6　竞争状态总结

5.5　中国IGBT芯片发展机遇与困境分析

5.5.1　中国IGBT芯片发展机遇

5.5.2　中国IGBT芯片技术瓶颈

5.5.3　中国IGBT芯片市场展望

第六章　近几年IGBT技术研发状况分析

6.1　IGBT技术进展及挑战分析

6.1.1　封装技术分析

6.1.2　车用技术要求

6.1.3　技术发展挑战

6.2　车规级IGBT芯片技术发展分析

6.2.1　大电流密度和低损耗技术

6.2.2　高压/高温技术

6.2.3　智能集成技术

6.3　车规级IGBT模块封装技术发展分析

6.3.1　芯片表面互连技术

6.3.2　贴片互连技术

6.3.3　端子引出技术

6.3.4　散热设计技术

6.4　车规级IGBT的技术挑战与解决方案

6.4.1　主要技术挑战

6.4.2　技术解决方案

第七章　近几年IGBT行业上游材料及设备发展状况分析

7.1　近几年IGBT行业上游材料发展分析——硅晶圆

7.1.1　营收发展规模

7.1.2　产能规模分析

7.1.3　产能尺寸分布

7.1.4　产能区域分布

7.1.5　出货面积情况

7.1.6　企业竞争格局

7.1.7　行业发展风险

7.2　近几年IGBT行业上游材料发展分析——光刻胶

7.2.1　行业基本介绍

7.2.2　行业政策发布

7.2.3　行业经营效益

7.2.4　市场规模分析

7.2.5　国产化率分析

7.2.6　竞争格局分析

7.2.7　行业投融资分析

7.2.8　行业发展壁垒

7.2.9　行业发展展望

7.3　近几年IGBT行业上游设备发展分析——光刻机

7.3.1　行业基本定义

7.3.2　市场规模分析

7.3.3　出货规模分析

7.3.4　竞争格局分析

7.3.5　主要企业布局

7.3.6　技术迭代状况

7.3.7　行业发展前景

7.4　近几年IGBT行业上游设备发展分析——刻蚀设备

7.4.1　行业基本定义

7.4.2　行业发展历程

7.4.3　市场规模分析

7.4.4　国产化率分析

7.4.5　竞争格局分析

7.4.6　主要企业布局

7.4.7　行业发展趋势

第八章　近几年IGBT行业下游应用领域发展状况分析

8.1　近几年新能源汽车领域发展分析

8.1.1　新能源汽车市场分析

8.1.2　车规级IGBT基本定义

8.1.3　车规级IGBT发展历程

8.1.4　车规级IGBT市场规模

8.1.5　车规级IGBT供需分析

8.1.6　车规级IGBT竞争格局

8.1.7　车规级IGBT发展趋势

8.2　近几年新能源发电领域发展分析

8.2.1　光伏新增装机量

8.2.2　风电新增装机量

8.2.3　IGBT应用场景分析

8.2.4　IGBT应用规模分析

8.2.5　IGBT应用需求特点

8.2.6　IGBT应用前景展望

8.3　近几年工业控制领域发展分析

8.3.1　工控市场规模分析

8.3.2　工控细分市场结构

8.3.3　工控主要产品分析

8.3.4　IGBT应用场景分析

8.3.5　IGBT应用前景分析

8.3.6　IGBT应用规模预测

8.4　近几年变频家电领域发展分析

8.4.1　变频家电行业概况

8.4.2　变频家电典型产品

8.4.3　变频家电市场格局

8.4.4　IGBT应用优势分析

8.4.5　IGBT应用前景展望

8.5　近几年其他应用领域发展分析

8.5.1　轨道交通领域

8.5.2　特高压输电领域

第九章　近几年IGBT行业国外重点企业经营分析

9.1　英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG）

9.1.1　企业发展概况

9.1.2　企业经营状况分析

9.2　安森美半导体（ON Semiconductor Corp.）

9.2.1　企业发展概况

9.2.2　企业经营状况分析

9.3　富士电机控股株式会社（Fuji Electric Co., Ltd）

9.3.1　企业发展概况

9.3.2　企业经营状况分析

9.4　三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric Corporation）

9.4.1　企业发展概况

9.4.2　企业经营状况分析

第十章　近几年IGBT行业国内重点企业经营分析

10.1　比亚迪股份有限公司

10.1.1　企业发展概况

10.1.2　经营效益分析

10.1.3　业务经营分析

10.1.4　财务状况分析

10.1.5　核心竞争力分析

10.1.6　未来前景展望

10.2　吉林华微电子股份有限公司

10.2.1　企业发展概况

10.2.2　经营效益分析

10.2.3　业务经营分析

10.2.4　财务状况分析

10.2.5　核心竞争力分析

10.2.6　公司发展战略

10.2.7　未来前景展望

10.3　杭州士兰微电子股份有限公司

10.3.1　企业发展概况

10.3.2　经营效益分析

10.3.3　业务经营分析

10.3.4　财务状况分析

10.3.5　核心竞争力分析

10.3.6　公司发展战略

10.4　TCL中环新能源科技股份有限公司

10.4.1　企业发展概况

10.4.2　经营效益分析

10.4.3　业务经营分析

10.4.4　财务状况分析

10.4.5　核心竞争力分析

10.4.6　公司发展战略

10.4.7　未来前景展望

10.5　株洲中车时代电气股份有限公司

10.5.1　企业发展概况

10.5.2　经营效益分析

10.5.3　业务经营分析

10.5.4　财务状况分析

10.5.5　核心竞争力分析

10.5.6　公司发展战略

10.5.7　未来前景展望

第十一章　IGBT行业投资分析及风险提示

11.1　IGBT行业投资机遇分析

11.1.1　契合政策发展机遇

11.1.2　国产替代发展机遇

11.1.3　能效标准规定机遇

11.2　IGBT行业投资项目动态

11.2.1　芯未半导体IGBT项目

11.2.2　顺为科技集团IGBT项目

11.2.3　斯达半导体IGBT项目

11.2.4　达新半导体IGBT项目

11.2.5　晶益通IGBT项目开工

11.3　IGBT行业投资壁垒分析

11.3.1　技术壁垒

11.3.2　品牌壁垒

11.3.3　资金壁垒

11.3.4　人才壁垒

11.4　IGBT行业投资风险预警

11.4.1　产品研发风险

11.4.2　技术泄密风险

11.4.3　市场竞争加剧风险

11.4.4　宏观经济波动风险

11.4.5　利润水平变动风险

第十二章　未来几年中国IGBT行业发展前景及趋势预测

12.1　IGBT行业发展前景及趋势

12.1.1　行业发展前景

12.1.2　企业发展趋势

12.1.3　行业发展方向

12.2　智研瞻对未来几年中国IGBT产业预测分析

12.2.1　未来几年中国IGBT产业影响因素分析

12.2.2　未来几年中国IGBT产业市场规模预测

12.2.3　未来几年全球IGBT产业市场规模预测